Moses - Halbleiterbauelemente

Anzeigesprache

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Modul / Version:
#40475 / #5

Gültigkeit:
Seit WS 2019/20

Standard-Anzeigesprache:
Deutsch

Titel des Moduls:
Halbleiterbauelemente

Leistungspunkte:
6

Modulverantwortliche*r:
Szyszka, Bernd

Benotung:
benotet

Prüfungsform:
Schriftliche Prüfung

Zugehörigkeit

Fakultät:
Fakultät IV

Institut:
Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien

Fachgebiet:
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Prüfungsausschuss:
Keine Angabe

Kontakt

Sekretariat:
HFT 5-2

Ansprechpartner*in:
Szyszka, Bernd

E-Mail-Adresse:
bernd.szyszka@tu-berlin.de

Webseite:

http://www.tfd.tu-berlin.de/menue/studium_lehre/

Lernergebnisse

Die Absolventinnen und Absolventen dieses Moduls können Problemstellungen zur Funktionsweise und zum Einsatz von Halbleiterbauelementen verstehen und einschätzen. Sie sind in der Lage, geeignete Modelle zur Berechnung der Bauelementparameter auszuwählen und anzuwenden. Weiterhin verfügen sie über solide Kenntnisse zur physikalischen Wirkungsweise von Halbleiterbauelementen und sie verstehen dadurch die grundlegenden elektrotechnischen Vorgänge, die beim Betrieb von Halbleiterbauelementen auftreten.

Lehrinhalte

In diesem Modul werden die Grundlagen der Halbleiterbauelemente vermittelt und praktisch angewandt. Es werden sowohl physikalische Grundlagen zum Verständnis der Funktionsweise von Halbleiterbauelementen, sowie die Funktionsweise der wichtigsten Bauelemente detaillierter behandelt. Ein kurzer Ausflug in die Technologie erklärt die Herstellung der Halbleiterbauelemente. Auszug aus den physikalischen Grundlagen: Zustandsdichte, Fermibesetzungswahrscheinlichkeit, Energiebändermodell, Generation und Rekombination von Ladungsträgern, Grundzüge der Quantenmechanik, pn-Übergang. Auszug aus den behandelten Bauelementen: pn-Diode, Tunneldiode, MOSFET, Bipolar Transistor, Power MOS, IGBT, LED, Halbleiterlaser, Solarzelle.

Modulbestandteile

Pflichtteil:

Die folgenden Veranstaltungen sind für das Modul obligatorisch:

Lehrveranstaltungen	Art	Nummer	Turnus	Sprache	SWS
Halbleiterbauelemente	VL	0431 L 001	WiSe	Keine Angabe	2
Halbleiterbauelemente	PR		WiSe	Keine Angabe	2
Halbleiterbauelemente	UE		WiSe	Keine Angabe	1

Arbeitsaufwand und Leistungspunkte

Halbleiterbauelemente (VL):

Aufwandbeschreibung	Multiplikator	Stunden	Gesamt
Präsenzzeit	16.0	2.0h	32.0h
Prüfungsvorbereitung	1.0	36.0h	36.0h
Vor-/Nachbereitung	16.0	2.0h	32.0h
			100.0h(~4 LP)

Halbleiterbauelemente (PR):

Aufwandbeschreibung	Multiplikator	Stunden	Gesamt
Präsenzzeit	6.0	4.0h	24.0h
Versuchsvorbereitung	6.0	4.0h	24.0h
			48.0h(~2 LP)

Halbleiterbauelemente (UE):

Aufwandbeschreibung	Multiplikator	Stunden	Gesamt
Präsenzzeit	16.0	1.0h	16.0h
Rechnen der Übungsaufgaben	16.0	1.0h	16.0h
			32.0h(~2 LP)

Der Aufwand des Moduls summiert sich zu 180.0 Stunden. Damit umfasst das Modul 6 Leistungspunkte.

Beschreibung der Lehr- und Lernformen

- Vorlesung: Stoffvermittlung im Frontalvortrag - Rechenübung: eigenständige Lösung von Rechenaufgaben, die den Vorlesungsstoff vertiefen. In der Übung werden Methoden zur Lösung der Aufgaben vermittelt und es wird der Lösungsweg skizziert. - Praktikum: zweiwöchentliche praktische Versuche im Labor. Die Versuche werden selbständig vorbereitet. Die Vorbereitung jeweils in einem Eingangstest überprüft. Nach der Versuchsdurchführung müssen die Ergebnisse schriftlich im Labor protokolliert und interpretiert werden.

Voraussetzungen für die Teilnahme / Prüfung

Wünschenswerte Voraussetzungen für die Teilnahme an den Lehrveranstaltungen:

Wünschenswerte Voraussetzungen für die Teilnahme zu den Lehrveranstaltungen: Erfolgreicher Abschluss des Moduls "Grundlagen der Elektrotechnik (GLET)" und „Physik für E-Techniker“

Verpflichtende Voraussetzungen für die Modulprüfungsanmeldung:

1. Voraussetzung

[HLB] Bestandene Eingangstests und Protokolle vom Praktikum Halbleiterbauelemente

Abschluss des Moduls

Benotung

benotet

Prüfungsform

Schriftliche Prüfung

Sprache

Deutsch

Dauer/Umfang

Dauer des Moduls

Für Belegung und Abschluss des Moduls ist folgende Semesteranzahl veranschlagt:
1 Semester.

Dieses Modul kann in folgenden Semestern begonnen werden:
Wintersemester.

Maximale teilnehmende Personen

Die maximale Teilnehmerzahl beträgt 250.

Anmeldeformalitäten

Anmeldung für Plätze in Übung und Labor erfolgt jeweils über das TUB-Portal (Moseskonto). Anmeldung zur Prüfung erfolgt über das TUB-Portal (QISPOS).

Literaturhinweise, Skripte

Skript in Papierform

Verfügbarkeit: nicht verfügbar

Skript in elektronischer Form

Verfügbarkeit: verfügbar

Zusätzliche Informationen:
Wird auf dem entsprechenden ISIS Kurs des Semesters bereitgestellt.

Literatur

Empfohlene Literatur
R. Müller, Bauelemente der Halbleiter-Elektronik Band 2, Springer-Verlag
R. Müller, Grundlagen der Halbleiter-Elektronik Band 1, Springer-Verlag

Zugeordnete Studiengänge

Semester:

Zeige auch ausgelaufene Studiengänge und StuPOs

Diese Modulversion wird in folgenden Studiengängen verwendet:

Studiengang / StuPO	StuPOs	Verwendungen	Erste Verwendung	Letzte Verwendung
Computational Engineering Science (Informationstechnik im Maschinenwesen) (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Elektrotechnik (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Elektrotechnik/Informationstechnik als Quereinstieg (Lehramt) (M. Ed.)	2	20	WS 2019/20	SoSe 2024
Elektrotechnik (Lehramt) (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Informationstechnik (Lehramt) (B. Sc.)	2	20	WS 2019/20	SoSe 2024
Informationstechnik (Lehramt) (M. Ed.)	2	19	WS 2019/20	SoSe 2024
Medientechnik (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Technische Informatik (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Technomathematik (B. Sc.)	1	10	WS 2019/20	SoSe 2024
Wirtschaftsingenieurwesen (M. Sc.)	1	11	WS 2019/20	SoSe 2024

Sonstiges

Keine Angabe