Moses - Halbleiterbauelemente (Praktikum) Mi. 22.10 - 17.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 14.01 - 11.02.26, alle zwei Wochen, 12:00

LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung	42,67 UE
Semester	WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat	LV / Praktikum
Gruppe	Mi. 22.10 - 17.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 14.01 - 11.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00
Organisationseinheiten	Technische Universität Berlin ↳ Fakultät IV ↳ Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien ↳ 34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Studiengangszuordnungen und Module

Verwandte Veranstaltungen

Zeitraum
Mi. 22.10 - 17.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 14.01 - 11.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00

Ort

Charlottenburg

E-N 403

Organisationseinheit

34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Lehrleistung
42,67 UE

Legende

Kalenderoptionen

08:00

09:00

10:00

11:00

12:00

13:00

14:00

15:00

16:00

17:00

Mo.

Di.

Mi.

Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Mi. 22.10 - 17.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 14.01 - 11.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00
Charlottenburg, E-N 403
Ahmed, Aatir Riaz

Do.

Fr.

Halbleiterbauelemente (Praktikum) Mi. 22.10 - 17.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 14.01 - 11.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00