Moses - Halbleiterbauelemente (Praktikum) Mi. 29.10 - 10.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 07.01 - 04.02.26, alle zwei Wochen, 08:00

LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung	37,33 UE
Semester	WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat	LV / Praktikum
Gruppe	Mi. 29.10 - 10.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 07.01 - 04.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Organisationseinheiten	Technische Universität Berlin ↳ Fakultät IV ↳ Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien ↳ 34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Studiengangszuordnungen und Module

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Zeitraum
Mi. 29.10 - 10.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 07.01 - 04.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00

Ort

Charlottenburg

E-N 401

Organisationseinheit

34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Lehrleistung
37,33 UE

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Charlottenburg, E-N 401
Chen, Huachao

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