Moses - Halbleiterbauelemente (Praktikum) Do. 23.10 - 18.12.25, alle zwei Wochen, Do. 15.01 - 12.02.26, alle zwei Wochen, 16:00

LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung	42,67 UE
Semester	WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat	LV / Praktikum
Gruppe	Do. 23.10 - 18.12.25, alle zwei Wochen, Do. 15.01 - 12.02.26, alle zwei Wochen, 16:00 - 20:00
Organisationseinheiten	Technische Universität Berlin ↳ Fakultät IV ↳ Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien ↳ 34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Studiengangszuordnungen und Module

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Zeitraum
Do. 23.10 - 18.12.25, alle zwei Wochen, Do. 15.01 - 12.02.26, alle zwei Wochen, 16:00 - 20:00

Ort

Charlottenburg

E-N 403

Organisationseinheit

34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Lehrleistung
42,67 UE

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Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Do. 23.10 - 18.12.25, alle zwei Wochen, Do. 15.01 - 12.02.26, alle zwei Wochen, 16:00 - 20:00
Charlottenburg, E-N 403
Javed, Moiz

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