Moses - Halbleiterbauelemente (Praktikum) Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 12:00

LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung	37,33 UE
Semester	WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat	LV / Praktikum
Gruppe	Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00
Organisationseinheiten	Technische Universität Berlin ↳ Fakultät IV ↳ Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien ↳ 34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Studiengangszuordnungen und Module

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Zeitraum
Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00

Ort

Charlottenburg

E-N 405

Organisationseinheit

34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Lehrleistung
37,33 UE

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Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00
Charlottenburg, E-N 405
Kotliarova, Alisa-Oleksandra

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Fr.

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