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Veranstaltung
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 12
Veranstaltung
LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung
42,67 UE
Semester
WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat
LV / Praktikum
Gruppe
Termingruppe 12
Organisationseinheiten
Technische Universität Berlin
↳
Fakultät IV
↳
Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien
↳
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
URLs
Label
Ansprechpartner*innen
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
Verantwortliche
Sprache
Deutsch
Studiengangszuordnungen und Module
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Termine (1)
Zeitraum
Fr. 24.10 - 19.12.25, alle zwei Wochen, Fr. 16.01 - 13.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Ort
Charlottenburg
,
E-N 442
Organisationseinheit
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Lehrleistung
42,67 UE
Einzeltermine ausklappen
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Lehrformat
Jedes Format bekommt eine Farbe
Campus
Jeder Campus bekommt eine Farbe
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Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 12
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Fr. 24.10 - 19.12.25, alle zwei Wochen, Fr. 16.01 - 13.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Anzahl Termine
7
Ort
Charlottenburg, E-N 442
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 12
Charlottenburg,
E-N 442
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 442”
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 12
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Fr. 19.12.25, 08:00 - 12:00
Ort
online
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 12
Online
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
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