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Veranstaltung
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 3
Veranstaltung
LV-Nummer
Gesamt-Lehrleistung
37,33 UE
Semester
WiSe 2025/26
Veranstaltungsformat
LV / Praktikum
Gruppe
Termingruppe 3
Organisationseinheiten
Technische Universität Berlin
↳
Fakultät IV
↳
Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien
↳
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
URLs
Label
Ansprechpartner*innen
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
Verantwortliche
Sprache
Deutsch
Studiengangszuordnungen und Module
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Termine (1)
Zeitraum
Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Ort
Charlottenburg
,
E-N 442
Organisationseinheit
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Lehrleistung
37,33 UE
Einzeltermine ausklappen
Legende der Farbgebungen
Lehrformat
Jedes Format bekommt eine Farbe
Campus
Jeder Campus bekommt eine Farbe
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Mo.
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 3
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Anzahl Termine
6
Ort
Charlottenburg, E-N 442
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 3
Charlottenburg,
E-N 442
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 442”
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 3
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Mo. 05.01.26, 08:00 - 12:00
Ort
online
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 3
Online
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
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