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E-N 401
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Mo.
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 13
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Mo. 27.10 - 08.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 05.01 - 02.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Anzahl Termine
6
Ort
Charlottenburg, E-N 401
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 13
Charlottenburg,
E-N 401
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 401”
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 2
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Mo. 20.10 - 15.12.25, alle zwei Wochen, Mo. 12.01 - 09.02.26, alle zwei Wochen, 12:00 - 16:00
Anzahl Termine
8
Ort
Charlottenburg, E-N 401
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 2
Charlottenburg,
E-N 401
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 401”
Di.
Mi.
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 15
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Mi. 29.10 - 10.12.25, alle zwei Wochen, Mi. 07.01 - 04.02.26, alle zwei Wochen, 08:00 - 12:00
Anzahl Termine
7
Ort
Charlottenburg, E-N 401
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 15
Charlottenburg,
E-N 401
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 401”
Do.
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 16
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Do. 23.10 - 18.12.25, alle zwei Wochen, Do. 15.01 - 12.02.26, alle zwei Wochen, 10:00 - 14:00
Anzahl Termine
8
Ort
Charlottenburg, E-N 401
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 16
Charlottenburg,
E-N 401
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 401”
Fr.
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Termingruppe 4
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Datum/Uhrzeit
Fr. 24.10 - 19.12.25, alle zwei Wochen, Fr. 16.01 - 13.02.26, alle zwei Wochen, 10:00 - 14:00
Anzahl Termine
7
Ort
Charlottenburg, E-N 401
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Termingruppe 4
Charlottenburg,
E-N 401
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 401”
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Name
Format
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV / Praktikum
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E-N 401
Gebäude
E-N
Stockwerk
Unbekannt
Öffnungszeiten
(Gebäude 06:00 Uhr - 22:00 Uhr)
Typ
Labor
Sitzplätze
Gesamt:
8
Zugehörigkeit
34312000 FG Energieversorgungsnetze und Integration Erneuerbarer Energien (SENSE)
34311600 FG Elektronische Mess- und Diagnosetechnik
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
