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#40475 / #6

Seit SoSe 2026

Deutsch, Englisch

Halbleiterbauelemente

6

Szyszka, Bernd

Benotet

Schriftliche Prüfung

Deutsch, Englisch

Zugehörigkeit


Fakultät IV

Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien

34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente

Keine Angabe

Kontakt


HFT 5-2

Szyszka, Bernd

bernd.szyszka@tu-berlin.de

Lernergebnisse

Die Absolventinnen und Absolventen dieses Moduls können Problemstellungen zur Funktionsweise und zum Einsatz von Halbleiterbauelementen verstehen und einschätzen. Sie sind in der Lage, geeignete Modelle zur Berechnung der Bauelementparameter auszuwählen und anzuwenden. Weiterhin verfügen sie über solide Kenntnisse zur physikalischen Wirkungsweise von Halbleiterbauelementen und sie verstehen dadurch die grundlegenden elektrotechnischen Vorgänge, die beim Betrieb von Halbleiterbauelementen auftreten.

Lehrinhalte

In diesem Modul werden die Grundlagen der Halbleiterbauelemente vermittelt und praktisch angewandt. Es werden sowohl physikalische Grundlagen zum Verständnis der Funktionsweise von Halbleiterbauelementen, sowie die Funktionsweise der wichtigsten Bauelemente detaillierter behandelt. Ein kurzer Ausflug in die Technologie erklärt die Herstellung der Halbleiterbauelemente. Auszug aus den physikalischen Grundlagen: Zustandsdichte, Fermibesetzungswahrscheinlichkeit, Energiebändermodell, Generation und Rekombination von Ladungsträgern, Grundzüge der Quantenmechanik, pn-Übergang. Auszug aus den behandelten Bauelementen: pn-Diode, Tunneldiode, MOSFET, Bipolar Transistor, Power MOS, IGBT, LED, Halbleiterlaser, Solarzelle.

Modulbestandteile

Vorlesung

Aus den folgenden Veranstaltungen muss eine Veranstaltung abgeschlossen werden.

LehrveranstaltungenArtNummerTurnusSpracheSWS ISIS VVZ
HalbleiterbauelementeVL0431 L 001WiSeKeine Angabe2
Semiconductor devicesVLSoSeen2

Übung

Aus den folgenden Veranstaltungen muss eine Veranstaltung abgeschlossen werden.

LehrveranstaltungenArtNummerTurnusSpracheSWS ISIS VVZ
HalbleiterbauelementeUE0431 L 003WiSeKeine Angabe1
Semiconductor devicesUESoSeen1

Praktikum

Aus den folgenden Veranstaltungen muss eine Veranstaltung abgeschlossen werden.

LehrveranstaltungenArtNummerTurnusSpracheSWS ISIS VVZ
HalbleiterbauelementePRWiSeKeine Angabe2
Semiconductor devicesPRSoSeen2

Arbeitsaufwand und Leistungspunkte

Halbleiterbauelemente (VL):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.02.0h30.0h
Vor-/Nachbereitung15.02.0h30.0h
60.0h(~2 LP)

Halbleiterbauelemente (UE):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.01.0h15.0h
Rechnen von Übungsaufgaben15.01.0h15.0h
30.0h(~1 LP)

Halbleiterbauelemente (PR):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.02.0h30.0h
Versuchsvorbereitung6.04.0h24.0h
54.0h(~2 LP)

Semiconductor devices (UE):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.01.0h15.0h
Rechnen von Übungsaufgaben1.015.0h15.0h
30.0h(~1 LP)

Semiconductor devices (PR):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.02.0h30.0h
Versuchsvorbereitung6.04.0h24.0h
54.0h(~2 LP)

Semiconductor devices (VL):

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Präsenzzeit15.02.0h30.0h
Vor-/Nachbereitung15.02.0h30.0h
60.0h(~2 LP)

Lehrveranstaltungsunabhängiger Aufwand:

AufwandbeschreibungMultiplikatorStundenGesamt
Prüfungsvorbereitung1.036.0h36.0h
36.0h(~2 LP)
Der Aufwand des Moduls summiert sich zu 180.0 Stunden. Damit umfasst das Modul 6 Leistungspunkte.

Beschreibung der Lehr- und Lernformen

- Vorlesung: Stoffvermittlung im Frontalvortrag - Rechenübung: eigenständige Lösung von Rechenaufgaben, die den Vorlesungsstoff vertiefen. In der Übung werden Methoden zur Lösung der Aufgaben vermittelt und es wird der Lösungsweg skizziert. - Praktikum: zweiwöchentliche praktische Versuche im Labor. Die Versuche werden selbständig vorbereitet. Die Vorbereitung jeweils in einem Eingangstest überprüft. Nach der Versuchsdurchführung müssen die Ergebnisse schriftlich im Labor protokolliert und interpretiert werden. - Das Modul ist auf eine Teilnahme entweder im Wintersemster oder im Sommersemester ausgelegt.

Voraussetzungen für die Teilnahme / Prüfung

Wünschenswerte Voraussetzungen für die Teilnahme an den Lehrveranstaltungen:

Wünschenswerte Voraussetzungen für die Teilnahme zu den Lehrveranstaltungen: Erfolgreicher Abschluss des Moduls "Grundlagen der Elektrotechnik (GLET)" und „Physik für E-Techniker“

Verpflichtende Voraussetzungen für die Modulprüfungsanmeldung:

Voraussetzung
Leistungsnachweis »[HLB] Bestandene Eingangstests und Protokolle vom Praktikum Halbleiterbauelemente«

Abschluss des Moduls

Benotung

Benotet

Prüfungsform

Schriftliche Prüfung

Sprache(n)

Deutsch, Englisch

Dauer/Umfang

90 Minuten

Dauer des Moduls

Für Belegung und Abschluss des Moduls ist folgende Semesteranzahl veranschlagt:
1 Semester.

Dieses Modul kann in folgenden Semestern begonnen werden:
Winter- und Sommersemester.

Maximale teilnehmende Personen

Die maximale Teilnehmerzahl beträgt 250.

Anmeldeformalitäten

Anmeldung für Plätze in Übung und Labor erfolgt jeweils über das TUB-Portal (Moseskonto).

Literaturhinweise, Skripte

Skript in Papierform

Verfügbarkeit:  nicht verfügbar

 

Skript in elektronischer Form

Verfügbarkeit:  verfügbar
Zusätzliche Informationen:
Wird auf dem entsprechenden ISIS Kurs des Semesters bereitgestellt.

 

Literatur

Empfohlene Literatur
R. Müller, Bauelemente der Halbleiter-Elektronik Band 2, Springer-Verlag
R. Müller, Grundlagen der Halbleiter-Elektronik Band 1, Springer-Verlag

Zugeordnete Studiengänge


Diese Modulversion wird in folgenden Studiengängen verwendet:

Studiengang / StuPOStuPOsVerwendungenErste VerwendungLetzte Verwendung
Computational Engineering Science (Informationstechnik im Maschinenwesen) (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026
Elektrotechnik (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026
Elektrotechnik/Informationstechnik als Quereinstieg (Lehramt) (M. Ed.)22SoSe 2026SoSe 2026
Elektrotechnik (Lehramt) (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026
Informationstechnik (Lehramt) (B. Sc.)22SoSe 2026SoSe 2026
Informationstechnik (Lehramt) (M. Ed.)22SoSe 2026SoSe 2026
Medientechnik (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026
Technische Informatik (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026
Technomathematik (B. Sc.)11SoSe 2026SoSe 2026

Sonstiges

Keine Angabe