Moses - Halbleitertechnologien für Höchstfrequenzanwendungen in Theorie und Praxis

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Diese Modulbeschreibung gilt nicht im aktuellen Semester.

Die Modulbeschreibung gilt nur für den Zeitraum SS 2018 - SoSe 2023.

Modul / Version:
#40252 / #2

Gültigkeit:
SS 2018 - SoSe 2023

Standard-Anzeigesprache:
Deutsch

Titel des Moduls:
Halbleitertechnologien für Höchstfrequenzanwendungen in Theorie und Praxis

Leistungspunkte:
6

Modulverantwortliche*r:
Tillack, Bernd

Benotung:
benotet

Prüfungsform:
Mündliche Prüfung

Zugehörigkeit

Fakultät:
Fakultät IV

Institut:
Institut für Hochfrequenz und Halbleiter-Systemtechnologien

Fachgebiet:
34325600 FG Technologie von siliziumbasierten integrierten Höchstfrequenzschaltungen

Prüfungsausschuss:
Keine Angabe

Kontakt

Sekretariat:
HFT 4

Ansprechpartner*in:
Rabe, Silvia

E-Mail-Adresse:
bernd.tillack@tu-berlin.de

Webseite:

http://www.sih.tu-berlin.de/institut_fuer_hochfrequenz_und_halbleiter_systemtechnologien/sih/menue/studium_und_lehre/

Lernergebnisse

Absolventinnen und Absolventen dieses Moduls haben die Fähigkeit erworben, den Herstellungsprozess von neuen Bauelementen und integrierten Schaltungen zu verstehen. Dieses Verständnis umfasst den technologischen Herstellungsprozess, die verwendeten Materialien und notwendige Charakterisierungstechniken. Im Vertiefungspraktikum wird das vorhandene Wissen gefestigt. Die Teilnehmer sammeln methodische Erfahrungen in der Forschung und Entwicklung durch Mitwirkung an realen Projekten des Leibniz Forschungsinstitutes IHP.

Lehrinhalte

Vorlesung: Die Vorlesung vermittelt einen Überblick über Si und SiGe Halbleitertechnologien. Es werden CMOS und BiCMOS Prozesstechnologien beginnend bei Substrattechnologien (Si, SOI) über Teilschritte bis zur Prozessintegration behandelt. Dabei wird sowohl der Weg der weiteren Skalierung (More Moore) als auch die Entwicklung von Halbleitertechnologien mit zusätzlicher Funktionalität (More than Moore), z.B. durch die Verbindung von Elektronik und Photonik behandelt. Die Vorlesung arbeitet mit aktuellen Beispielen aus der SiGe BiCMOS Technologie des IHP. Praktikum: Ziel des Praktikums ist die Vermittlung und Vertiefung von Kenntnissen zur Technologie von integrierten Schaltungen. Den Teilnehmern wird die Möglichkeit gegeben, durch Mitwirkung in realen Projekten des IHP, methodische Erfahrungen in der Forschung und Entwicklung zu sammeln. Es werden Teilaufgaben aus Forschungsprojekten an die Praktikumsteilnehmer gestellt, die in den zwei Wochen zu einem Abschluss gebracht werden sollen. Die Arbeiten befassen sich mit Themen aus der Prozesstechnologieentwicklung, aus der elektrischen Charakterisierung von Bauelementen und Teststrukturen und aus der Materialentwicklung für Halbleitertechnologien. Die experimentellen Arbeiten erfolgen in den modernen Laborräumen, unter anderem ein Klasse 1 Reinraum. des IHP in Frankfurt (Oder). Zu ausgewählten Themen ist die Arbeit im Klasse 1 Reinraum vorgesehen. Das Praktikum ist für Studierende im Masterstudiengang Elektrotechnik vorgesehen und kann Ausgangspunkt für ein nachfolgendes längeres Praktikum und für die Masterarbeit sein.

Modulbestandteile

Pflichtgruppe:

Die folgenden Veranstaltungen sind für das Modul obligatorisch:

Lehrveranstaltungen	Art	Nummer	Turnus	Sprache	SWS	VZ
Si / SiGe Halbleitertechnologien für Höchstfrequenzanwendungen	VL		SoSe	Deutsch	2
Vertiefungspraktikum "Technologie integrierter Schaltungen"	PR		WiSe/SoSe	Deutsch	2

Arbeitsaufwand und Leistungspunkte

Si / SiGe Halbleitertechnologien für Höchstfrequenzanwendungen (VL):

Aufwandbeschreibung	Multiplikator	Stunden	Gesamt
Präsenzzeit	15.0	2.0h	30.0h
Vor-/Nachbereitung	15.0	4.0h	60.0h
			90.0h(~3 LP)

Vertiefungspraktikum "Technologie integrierter Schaltungen" (PR):

Aufwandbeschreibung	Multiplikator	Stunden	Gesamt
Präsenzzeit	15.0	2.0h	30.0h
Vor-/Nachbereitung	15.0	4.0h	60.0h
			90.0h(~3 LP)

Der Aufwand des Moduls summiert sich zu 180.0 Stunden. Damit umfasst das Modul 6 Leistungspunkte.

Beschreibung der Lehr- und Lernformen

Die Lehrinhalte werden in Vorlesung (VL) und Praktikum (PR) vermittelt.

Voraussetzungen für die Teilnahme / Prüfung

Wünschenswerte Voraussetzungen für die Teilnahme an den Lehrveranstaltungen:

- Mathematisch-physikalische Kenntnisse - Interesse an Halbleitereigenschaften sowie an experimentellem Arbeiten

Verpflichtende Voraussetzungen für die Modulprüfungsanmeldung:

Dieses Modul hat keine Prüfungsvoraussetzungen.

Abschluss des Moduls

Benotung

benotet

Prüfungsform

Mündliche Prüfung

Sprache

Deutsch

Dauer/Umfang

60 Minuten

Dauer des Moduls

Für Belegung und Abschluss des Moduls ist folgende Semesteranzahl veranschlagt:
1 Semester.

Dieses Modul kann in folgenden Semestern begonnen werden:
Winter- und Sommersemester.

Maximale teilnehmende Personen

Die maximale Teilnehmerzahl beträgt 10.

Anmeldeformalitäten

Prüfungsamt oder ggf. Qispos

Literaturhinweise, Skripte

Skript in Papierform

Verfügbarkeit: verfügbar

Zusätzliche Informationen:
Wird während der Veranstaltung ausgeteilt.

Skript in elektronischer Form

Verfügbarkeit: verfügbar

Zusätzliche Informationen:
Auf Anfrage.

Literatur

Empfohlene Literatur
Keine empfohlene Literatur angegeben

Zugeordnete Studiengänge

Semester:

Zeige auch ausgelaufene Studiengänge und StuPOs

Diese Modulversion wird in folgenden Studiengängen verwendet:

	Studiengang / StuPO	StuPOs	Verwendungen	Erste Verwendung	Letzte Verwendung
Dieses Modul findet in keinem Studiengang Verwendung.

Studierende anderer Studiengänge können dieses Modul ohne Kapazitätsprüfung belegen.

Sonstiges

Die Vorlesung findet im SS statt. Das Praktikum wird individuell mit den Studierenden geplant Weitere Informationen zu den Veranstaltungen "Si / SiGe Halbleitertechnologien für Höchstfrequenzanwendungen" und "Vertiefungspraktikum: Technologie integrierter Schaltungen" sind zu finden unter: http://www.sih.tu-berlin.de/institut_fuer_hochfrequenz_und_halbleiter_systemtechnologien/sih/menue/studium_und_lehre/