Lehrinhalte
Kristallzüchtung I: Grundlagen und Methoden zur technischen Kristallzüchtung. Einführung in die Kristallchemie/-physik, Thermodynamische Grundlagen der Kristallzüchtung, Keimbildung und Kristallwachstum, Kristallzüchtung aus der Schmelze, Lösung
oder Gasphase, Gleichgewichtsstruktur und -oberfläche von Kristallen, Fremdstoffeinbau und Segregation, Defektbildung, Epitaktisches Kristallwachstum; Kristallbearbeitung, Untersuchung der Kristalleigenschaften.
Kristallzüchtung II: Herstellung und Anwendungsgebiete wichtiger einkristalliner Materialien, Korrelation zwischen Züchtungsprozess und Materialeigenschaften. Herstellung von Silicium-Einkristallen und klassischen Verbindungshalbleitern (GaAs, InP)
aus der Schmelze, Herstellung von SiC- und AlN-Kristallen aus der Gasphase, Gasphasenepitaxie (MOCVD, MBE), Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxidkristallen; materialspezifische Anwendungsgebiete und deren Anforderungen an die Kristallqualität.