Lehrinhalte
Herstellung und Anwendungsgebiete wichtiger einkristalliner Materialien, Korrelation zwischen Züchtungsprozess und Materialeigenschaften. Herstellung von Silicium-Einkristallen und klassischen Verbindungshalbleitern (GaAs, InP) aus der Schmelze,
Herstellung von SiC- und AlN-Kristallen aus der Gasphase, Gasphasenepitaxie (MOCVD, MBE), Schmelz- und Lösungszüchtung von Oxidkristallen; materialspezifische Anwendungsgebiete und deren Anforderungen an die Kristallqualität.
Beschreibung der Lehr- und Lernformen
Im ersten Teil erfolgt die Vermittlung des Stoffes durch Frontalunterricht. Anschließend erarbeiten und präsentieren die Studierenden einen Vortrag und führen am Leibniz-Institut für Kristallzüchtung einen Kristallzüchtungsversuch durch.