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Mo.
Halbleiterbauelemente (Klausur) [Zweittermin, 03.04.2023]
Prüfungsnummer
0431 L 001
Format
Prüfungsklausur
Sprache
Deutsch
Gruppe
Zweittermin, 03.04.2023
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Planungskommentar
-
Datum/Uhrzeit (ex. Vor-/Nachb.)
Mo. 03.04.23, 08:30 - 10:30
Ort
H 0105 (Audimax) (CH)
Vor-/Nachbereitungsdauer
30min/60min
Halbleiterbauelemente (Klausur)
Zweittermin, 03.04.2023
H 0105 Audimax
(Charlottenburg)
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “H 0105 Audimax”
Di.
Mi.
Do.
Fr.
Halbleiterbauelemente (Klausur) [Ersttermin, 03.03.2023]
Prüfungsnummer
0431 L 001
Format
Prüfungsklausur
Sprache
Deutsch
Gruppe
Ersttermin, 03.03.2023
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Planungskommentar
-
Datum/Uhrzeit (ex. Vor-/Nachb.)
Fr. 03.03.23, 11:30 - 13:30
Ort
H 3010 (CH)
Vor-/Nachbereitungsdauer
30min/60min
Halbleiterbauelemente (Klausur)
Ersttermin, 03.03.2023
H 3010
(Charlottenburg)
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “H 3010”
Halbleiterbauelemente (Klausur) [Ersttermin, 03.03.2023]
Prüfungsnummer
0431 L 001
Format
Prüfungsklausur
Sprache
Deutsch
Gruppe
Ersttermin, 03.03.2023
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Planungskommentar
-
Datum/Uhrzeit (ex. Vor-/Nachb.)
Fr. 03.03.23, 11:30 - 13:30
Ort
HE 101 (CH)
Vor-/Nachbereitungsdauer
30min/60min
Halbleiterbauelemente (Klausur)
Ersttermin, 03.03.2023
HE 101
(Charlottenburg)
Übersicht nach...
OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “HE 101”
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Halbleiterbauelemente (Klausur)
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