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E-N 403
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Mo.
Halbleiterbauelemente (Praktikum) Praktikum
LV-Nummer
-
Format
Praktikum
Sprache
Deutsch
Gruppe
Praktikum
Organisationseinheiten
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente
Dozierende
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
Datum/Uhrzeit
Mo. 14.10 - 16.12.24, wöchentlich, Mo. 13.01 - 10.02.25, wöchentlich, 12:00 - 16:00
Anzahl Termine
15
Ort
Charlottenburg, E-N 403
Vor-/Nachbereitungsdauer
0min/0min
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
Praktikum
Charlottenburg,
E-N 403
Seibertz, Bertwin Bilgrim Otto
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OE “34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente”
Raum “E-N 403”
Di.
Mi.
Do.
Fr.
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Name
Format
Halbleiterbauelemente (Praktikum)
LV / Praktikum
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E-N 403
Gebäude
E-N
Stockwerk
Unbekannt
Öffnungszeiten
(Gebäude 06:00 Uhr - 22:00 Uhr)
Typ
Labor
Sitzplätze
Gesamt:
8
Zugehörigkeit
34312000 FG Energieversorgungsnetze und Integration Erneuerbarer Energien (SENSE)
34311600 FG Elektronische Mess- und Diagnosetechnik
34325800 FG S-Professur Technologie für Dünnschicht-Bauelemente