Lehrinhalte
Vorlesung Methoden der Angewandten Physik I - Grundlagen der Halbleiterphysik:
Kristall- und Bandstruktur, Ladungsträgertransport, Oberflächen, unipolare und bipolare Bauelemente, Mikro- und Nanoelektronik, digitale Mikroelektronik und Halbleitertechnologien (Silizium und Verbindungshalbleiter).
Praktikum Methoden der Angewandten Physik I als integrierte Veranstaltung:
Grundlegende und interdisziplinäre Methoden der Messtechnik und Halbleitertechnologie.
Die vierstündige Vorlesung vermittelt einen Überblick über die Grundlagen der Halbleiterphysik und der Halbleitertechnologien. Sie diskutiert weiterhin die Physik und Funktionsweise von modernen Halbleiterbauelementen der Elektronik und Optoelektronik. Dabei wird von Dioden, Transistoren, Integration, Nanoelektronik, CCD Sensoren, CMOS Technologie bis zu Aspekten der Halbleitertechnologie ein weiter Bereich abgedeckt. Komplementär hierzu wird in 12 Versuchen ein breiter Überblick über interdisziplinäre, grundlegende Messtechniken und Charakterisierungsmethoden aus verschiedenen Bereichen der angewandten Physik gegeben.